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XP225N2001TR-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteTOREX
Referencia del fabricanteXP225N2001TR-G
Código Farnell3577865RL
Rango de ProductoXP225N2001xx-G
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,262 € |
| 500+ | 0,215 € |
| 1000+ | 0,185 € |
| 5000+ | 0,122 € |
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Información del producto
FabricanteTOREX
Referencia del fabricanteXP225N2001TR-G
Código Farnell3577865RL
Rango de ProductoXP225N2001xx-G
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id2A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.07ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.07ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente800mV
Disipación de Potencia Pd400mW
Disipación de Potencia400mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoXP225N2001xx-G
Calificación-
Estándar de Certificación para Automoción-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.07ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
400mW
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
XP225N2001xx-G
Estándar de Certificación para Automoción
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
2A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.07ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
800mV
Disipación de Potencia
400mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto