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VNP10N07-E
MOSFET de Potencia, Canal N, 70 V, 10 A, 0.1 ohm, TO-220, Orificio Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteVNP10N07-E
Código Farnell1739423
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,680 € |
| 10+ | 2,390 € |
| 100+ | 1,300 € |
| 500+ | 1,050 € |
| 1000+ | 0,991 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteVNP10N07-E
Código Farnell1739423
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)70V
Corriente de Drenaje Continua Id10A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.1ohm
Encapsulado del TransistorTO-220
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia50W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El VNP10N07-E es un dispositivo MOSFET de potencia monolítico totalmente con protección contra ESD. El VNP10N07 es un dispositivo monolítico fabricado con tecnología VIPower de STMicroelectronics, destinado a reemplazar los MOSFETs de potencia estándar en aplicaciones de DC a 50kHz. Integra desconexión térmica, limitación de corriente lineal y supresión de sobretensión para proteger el chip en entornos hostiles. Realimentación de fallo detectada mediante control de la tensión en el pin de entrada.
- Desconexión térmica
- Limitación integrada
- Realimentación de diagnóstico a través del pin de entrada
- Bajo drenaje de corriente desde el pin de entrada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
10A
Encapsulado del Transistor
TO-220
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
50W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
70V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.1ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00195
Trazabilidad del producto