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STW9N150
MOSFET de Potencia, Canal N, 1.5 kV, 8 A, 1.8 ohm, TO-247, Orificio Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTW9N150
Código Farnell2098402
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 8,750 € |
| 5+ | 8,560 € |
| 10+ | 8,370 € |
| 50+ | 5,020 € |
| 100+ | 4,420 € |
| 250+ | 4,200 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTW9N150
Código Farnell2098402
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.5kV
Corriente de Drenaje Continua Id8A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1.8ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia320W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STW9N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- 100% Avalanche tested
- Avalanche ruggedness
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- High speed switching
- Very low on-resistance
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
8A
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
320W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.5kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1.8ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.006588