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STW26NM60N
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-247, Orificio Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTW26NM60N
Código Farnell2098389
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,200 € |
| 10+ | 6,730 € |
| 100+ | 4,100 € |
| 500+ | 3,900 € |
| 1000+ | 3,400 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTW26NM60N
Código Farnell2098389
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id20A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.135ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia140W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STW26NM60N es un MOSFET de potencia con canal N de 600V desarrollado mediante la segunda generación de la tecnología MDmesh™. Este revolucionario MOSFET de potencia asocia una estructura vertical a la configuración en banda de la compañía para proporcionar unas de las resistencias en conducción y cargas de puerta más bajas del sector. Por lo tanto, es adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes. Ofrece carga de puerta mejorada y disipación de potencia inferior para satisfacer los máximos requisitos de eficiencia.
- 100% probado para avalancha
- Baja capacitancia de entrada y carga de puerta
- Baja resistencia de entrada de puerta
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
20A
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.135ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para STW26NM60N
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.068039