Imprimir página
STW12N150K5
MOSFET de Potencia, Canal N, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, Orificio Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTW12N150K5
Código Farnell3367080
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
6486 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 8,340 € |
| 5+ | 8,290 € |
| 10+ | 8,240 € |
| 50+ | 4,660 € |
| 100+ | 4,510 € |
| 250+ | 4,350 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
8,34 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTW12N150K5
Código Farnell3367080
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.5kV
Corriente de Drenaje Continua Id7A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1.6ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia250W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
STW12N150K5 is a N-channel MDmesh™ K5 power MOSFET. It is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. Suitable for switching applications.
- Industry’s lowest RDS(on) area, industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra low gate charge, 100% avalanche tested, Zener-protected
- 1500V min drain-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 1mA, TCASE = 25°C)
- 1µA max zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 1500V, TCASE = 25°C)
- 4V typ gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 100µA, TCASE = 25°C)
- 1.6ohm typ static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 3.5A, TCASE = 25°C)
- 1360pF typ input capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 80pF typ output capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 47nC typ total gate charge (VDD = 1200V, ID = 7A, VGS = 10V, TCASE = 25°C)
- TO-247 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
7A
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.5kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1.6ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
MDmesh K5
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00443