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STW11NK100Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Orificio Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTW11NK100Z
Código Farnell1468004
Rango de ProductoSTW
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,000 € |
| 10+ | 3,950 € |
| 100+ | 3,080 € |
| 500+ | 2,730 € |
| 1000+ | 2,720 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTW11NK100Z
Código Farnell1468004
Rango de ProductoSTW
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1kV
Corriente de Drenaje Continua Id8.3A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1.38ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.75V
Disipación de Potencia230W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoSTW
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
El STW11NK100Z es un MOSFET de potencia protegido por Zener con canal N de 1000V desarrollado mediante tecnología SuperMESH™ que se obtiene mediante optimización de la configuración bien establecida PowerMESH™ basada en banda. Además de reducir significativamente la resistencia en conducción, se debe tener cuidado para garantizar una buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Ofrece carga de puerta mejorada y disipación de potencia inferior para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia de hoy en día.
- Capacidad dv/dt extremadamente elevada
- 100% probado para avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Muy baja capacitancia intrínseca
- Muy buena repetibilidad de fabricación
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
8.3A
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
230W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1.38ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.75V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
STW
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:No
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.010433