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STP9NK60ZFP
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 7 A, 0.95 ohm, TO-220FP, Orificio Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTP9NK60ZFP
Código Farnell1291992
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,150 € |
| 10+ | 1,010 € |
| 100+ | 0,835 € |
| 500+ | 0,749 € |
| 1000+ | 0,691 € |
| 5000+ | 0,628 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTP9NK60ZFP
Código Farnell1291992
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id7A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.95ohm
Encapsulado del TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.75V
Disipación de Potencia30W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STP9NK60ZFP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
- Improved ESD capability
- 100% Avalanche tested
- Extremely high dV/dt capability
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
7A
Encapsulado del Transistor
TO-220FP
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
30W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.95ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.75V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para STP9NK60ZFP
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00204