Imprimir página
STP80NF10
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220, Orificio Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTP80NF10
Código Farnell9935681
Hoja de datos técnicos
9689 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,660 € |
| 10+ | 2,400 € |
| 100+ | 1,800 € |
| 500+ | 1,610 € |
| 1000+ | 1,370 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
3,66 € (Excl. IVA)
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTP80NF10
Código Farnell9935681
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id80A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.015ohm
Encapsulado del TransistorTO-220
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia300W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STP80NF10 is a 100V N-channel STripFET™ II Power MOSFET realized with unique STripFET process. It has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any application with low gate charge drive requirements. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Exceptional dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Application oriented characterization
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
80A
Encapsulado del Transistor
TO-220
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.015ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para STP80NF10
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Morocco
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Morocco
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002