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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTP60NF06L
Código Farnell9935657
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,380 € |
| 10+ | 1,190 € |
| 100+ | 1,130 € |
| 500+ | 0,928 € |
| 1000+ | 0,851 € |
| 5000+ | 0,761 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTP60NF06L
Código Farnell9935657
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id60A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.014ohm
Encapsulado del TransistorTO-220
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1V
Disipación de Potencia110W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STP60NF06L de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia STripFET II de canal N de 60V para montaje por orificio pasante en encapsulado TO-220. Este MOSFET de potencia está diseñado mediante proceso sTripFET exclusivo que minimiza la capacitancia de entrada y carga de puerta, lo que lo hace apto como conmutador primario en convertidores DC-DC aislados avanzados de alta eficiencia para aplicaciones de telecomunicación y ordenador. Está destinado a cualquier aplicación con baja carga de puerta.
- Excepcional capacidad dv/dt
- Probado para avalancha
- Tensión de drenador a fuente (Vds) de 60V
- Tensión de puerta a fuente de ±15V
- Corriente de drenaje continua (Id) de 60A
- Disipación de potencia (Pd) de 110W
- Baja resistencia en estado de conducción de 12mohm a Vgs 10V
- Rango de temperatura de unión en funcionamiento de -65°C a 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
60A
Encapsulado del Transistor
TO-220
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.014ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para STP60NF06L
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Morocco
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Morocco
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002