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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTN1HNK60
Código Farnell2354521
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 52 semanas
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
4000+ | 0,387 € |
12000+ | 0,382 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 4000
Múltiplo: 4000
1.548,00 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTN1HNK60
Código Farnell2354521
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id500mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor8.5ohm
Encapsulado del TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia3.3W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The STN1HNK60 is a 600V N-channel SuperMESH™ MOSFET with extreme optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- ESD improved capability
- 100% Avalanche tested
- New high voltage benchmark
- Gate charge minimized
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
500mA
Encapsulado del Transistor
SOT-223
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.3W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
8.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de pines
3Pins
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000225
Trazabilidad del producto