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STL20N6F7
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTL20N6F7
Código Farnell4320035
Rango de ProductoSTripFET F7 Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 53 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,511 € |
| 9000+ | 0,447 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiplo: 3000
1.533,00 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTL20N6F7
Código Farnell4320035
Rango de ProductoSTripFET F7 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id100A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0046ohm
Encapsulado del TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia78W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoSTripFET F7 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
STL20N6F7 is a N-channel STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package. This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Suitable for switching applications.
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent figure of merit (FoM)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- 60V drain-source breakdown voltage
- 0.0054ohm static drain-source on-resistance max
- 20A drain current (continuous) at Tpcb = 25 °C
- Operating junction temperature range from -55 to 150°C
- 3W total dissipation at Tpcb = 25°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
100A
Encapsulado del Transistor
PowerFLAT
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
78W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0046ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
STripFET F7 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000075
Trazabilidad del producto