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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTL125N10F8AG
Código Farnell4472228
Rango de ProductoSTripFET F8 Series
Hoja de datos técnicos
180 Productos en Stock
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 2,800 € |
10+ | 2,210 € |
100+ | 1,760 € |
500+ | 1,480 € |
1000+ | 1,400 € |
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Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTL125N10F8AG
Código Farnell4472228
Rango de ProductoSTripFET F8 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id125A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0046ohm
Encapsulado del TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia150W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoSTripFET F8 Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
125A
Encapsulado del Transistor
PowerFLAT
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0046ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
STripFET F8 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Pendiente
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto