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STL120N10F8
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 125 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT 5x6, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTL120N10F8
Código Farnell4632669RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,360 € |
| 500+ | 1,100 € |
| 1000+ | 1,010 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTL120N10F8
Código Farnell4632669RL
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id125A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0046ohm
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia150W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0046ohm
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
8Pins
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Corriente de Drenaje Continua Id
125A
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.114
Trazabilidad del producto