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STH22N95K5-2AG
MOSFET de Potencia, Canal N, 950 V, 17.5 A, 0.28 ohm, H2PAK-2, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTH22N95K5-2AG
Código Farnell3489524RL
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Opciones de embalaje
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 4,860 € |
| 100+ | 3,620 € |
| 500+ | 3,340 € |
| 1000+ | 3,020 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiplo: 1
48,60 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTH22N95K5-2AG
Código Farnell3489524RL
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)950V
Corriente de Drenaje Continua Id17.5A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.28ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.28ohm
Encapsulado del TransistorH2PAK-2
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia Pd250W
Disipación de Potencia250W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoMDmesh K5
CalificaciónAEC-Q101
Estándar de Certificación para AutomociónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
950V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.28ohm
Encapsulado del Transistor
H2PAK-2
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
250W
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
MDmesh K5
Estándar de Certificación para Automoción
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
17.5A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.28ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0138
Trazabilidad del producto