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STD35P6LLF6
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTD35P6LLF6
Código Farnell2807190
Rango de ProductoSTripFET F6
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,810 € |
| 10+ | 1,030 € |
| 100+ | 0,759 € |
| 500+ | 0,655 € |
| 1000+ | 0,626 € |
| 5000+ | 0,578 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTD35P6LLF6
Código Farnell2807190
Rango de ProductoSTripFET F6
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id35A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.028ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia70W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoSTripFET F6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure.
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
35A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.028ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
STripFET F6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000907
Trazabilidad del producto