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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTD30NF06LT4
Código Farnell1752032
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 1,460 € |
10+ | 1,030 € |
100+ | 0,763 € |
500+ | 0,604 € |
1000+ | 0,543 € |
5000+ | 0,504 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTD30NF06LT4
Código Farnell1752032
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id35A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.022ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)2.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.7V
Disipación de Potencia70W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STD30NF06LT4 es un MOSFET de potencia STripFET™II con canal N desarrollado según un proceso exclusivo basado en banda Single Feature Size™. El transistor resultante muestra una densidad de encapsulado extremadamente alta para baja baja resistencia en estado conductor, características robustas de avalancha y pasos de alineación menos crítica, lo que posibilita una reproducibilidad de fabricación excepcional.
- Excepcional capacidad dv/dt
- Control de puerta de nivel lógico
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
35A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
2.5V
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.022ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.7V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Productos asociados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000541