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STD105N10F7AG
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTD105N10F7AG
Código Farnell3132716
Rango de ProductoSTripFET F7
Hoja de datos técnicos
2770 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 2,520 € |
| 50+ | 1,870 € |
| 100+ | 1,490 € |
| 500+ | 1,250 € |
| 1000+ | 1,160 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTD105N10F7AG
Código Farnell3132716
Rango de ProductoSTripFET F7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id80A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0068ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia120W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoSTripFET F7
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
80A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
120W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0068ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
STripFET F7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para STD105N10F7AG
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00035
Trazabilidad del producto