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STB45N50DM2AG
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 35 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTB45N50DM2AG
Código Farnell3367006RL
Rango de ProductoMDmesh DM2
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 4,750 € |
| 50+ | 4,240 € |
| 100+ | 3,730 € |
| 250+ | 3,650 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiplo: 1
52,50 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTB45N50DM2AG
Código Farnell3367006RL
Rango de ProductoMDmesh DM2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)500V
Corriente de Drenaje Continua Id35A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.07ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia250W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoMDmesh DM2
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
35A
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
500V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.07ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
MDmesh DM2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00138
Trazabilidad del producto