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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTB13N80K5
Código Farnell3129828RL
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
50+ | 3,260 € |
200+ | 2,900 € |
500+ | 2,500 € |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteSTB13N80K5
Código Farnell3129828RL
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)800V
Corriente de Drenaje Continua Id12A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.37ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.37ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia190W
Disipación de Potencia Pd190W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoMDmesh K5
Calificación-
Estándar de Certificación para Automoción-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
800V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.37ohm
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
190W
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
MDmesh K5
Estándar de Certificación para Automoción
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
12A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.37ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
190W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para STB13N80K5
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00035
Trazabilidad del producto