Imprimir página
BD241C
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 100 V, 5 A, 40 W, TO-220, Orificio Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteBD241C
Código Farnell9801553
Hoja de datos técnicos
435 Productos en Stock
1650 Ahora puede reservar el stock
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,779 € |
| 10+ | 0,556 € |
| 100+ | 0,378 € |
| 500+ | 0,316 € |
| 1000+ | 0,269 € |
| 5000+ | 0,226 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
0,78 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Referencia del fabricanteBD241C
Código Farnell9801553
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx100V
Corriente de Colector Continua5A
Disipación de Potencia40W
Encapsulado del TransistorTO-220
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Número de Pines3Pins
Frecuencia de Transición-
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE25hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BD241C is a 100V Silicon NPN Complementary Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
- Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector Continua
5A
Encapsulado del Transistor
TO-220
Número de Pines
3Pins
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE
25hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tensión Colector-Emisor Máx
100V
Disipación de Potencia
40W
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002