Imprimir página
RD3L03BATTL1
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
876 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,793 € |
| 500+ | 0,642 € |
| 1000+ | 0,615 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 100
Múltiplo: 5
84,30 € (Excl. IVA)
Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteROHM
Referencia del fabricanteRD3L03BATTL1
Código Farnell3639762RL
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal P
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id35A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.032ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.032ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia56W
Disipación de Potencia Pd56W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Estándar de Certificación para Automoción-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.032ohm
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
56W
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Estándar de Certificación para Automoción
-
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
35A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.032ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Disipación de Potencia Pd
56W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002268