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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNXH007F120M3F2PTHG
Código Farnell4472917
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
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5+ | 152,140 € |
10+ | 147,150 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNXH007F120M3F2PTHG
Código Farnell4472917
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETPuente Completo
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id149A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.01ohm
Encapsulado del TransistorPIM
Número de Pines34Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.4V
Disipación de Potencia353W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Puente Completo
Corriente de Drenaje Continua Id
149A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.01ohm
Número de Pines
34Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.4V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
PIM
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
353W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001
Trazabilidad del producto