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NVMYS1D3N04CTWG
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 252 A, 0.00115 ohm, LFPAK, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVMYS1D3N04CTWG
Código Farnell2981244RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 500+ | 1,690 € |
| 1000+ | 1,650 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVMYS1D3N04CTWG
Código Farnell2981244RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id252A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)960µohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.00115ohm
Encapsulado del TransistorLFPAK
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.5V
Disipación de Potencia Pd134W
Disipación de Potencia134W
Número de Pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Estándar de Certificación para AutomociónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
- Single N-channel power MOSFET
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- 40V minimum drain to source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 250A)
- 100nA maximum gate to source leakage current (VDS = 0V, VGS = 20V)
- 2.5 to 3.5V gate threshold voltage range (VGS = VDS, ID = 180µA)
- 15ns typical turn on delay time (GS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5ohm)
- 22ns typical rise time (GS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5ohm)
- LFPAK4 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
960µohm
Encapsulado del Transistor
LFPAK
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
134W
Número de Pines
4Pins
Gama de Producto
-
Estándar de Certificación para Automoción
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
252A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.00115ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.5V
Disipación de Potencia
134W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001361