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NVMFS6H801NT1G
MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166W
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVMFS6H801NT1G
Código Farnell3388929
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)80V
Corriente de Drenaje Continua Id157A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0028ohm
Encapsulado del TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia166W
Número de pines5Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
157A
Encapsulado del Transistor
DFN
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
166W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
80V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
5Pins
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000156
Trazabilidad del producto