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NTMFS10N7D2C
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNTMFS10N7D2C
Código Farnell2768338
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,640 € |
| 10+ | 2,600 € |
| 100+ | 1,910 € |
| 500+ | 1,560 € |
| 1000+ | 1,460 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNTMFS10N7D2C
Código Farnell2768338
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id78A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0072ohm
Encapsulado del TransistorPower 56
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia83W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoPowerTrench Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
NTMFS10N7D2C is a power trench, N‐channel, shielded gate MOSFET. This N-channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode. Application includes primary DC−DC MOSFET, synchronous rectifier in DC−DC and AC−DC, motor drive and solar.
- Lowers switching noise/EMI
- 100% UIL tested
- Drain to source voltage is 100V (TA = 25°C)
- 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- Gate to source voltage is ±20V (TA = 25°C)
- Drain current is 78A (continuous, TC = 25°C)
- Single pulse avalanche energy is 216mJ (TC = 25°C)
- Power dissipation is 83W (TC = 25°C)
- Turn-on delay time is 13ns (typ, VDD = 50V, ID = 28A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm,TJ = 25°C)
- PQFN8 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
78A
Encapsulado del Transistor
Power 56
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0072ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
PowerTrench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para NTMFS10N7D2C
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004536
Trazabilidad del producto