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NDT451AN
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 7.2 A, 0.03 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNDT451AN
Código Farnell2101425
Rango de ProductoCompute Module 3+ Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,470 € |
| 10+ | 0,958 € |
| 100+ | 0,675 € |
| 500+ | 0,504 € |
| 1000+ | 0,477 € |
| 5000+ | 0,423 € |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNDT451AN
Código Farnell2101425
Rango de ProductoCompute Module 3+ Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id7.2A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.03ohm
Encapsulado del TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.6V
Disipación de Potencia1.1W
Número de Pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoCompute Module 3+ Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (14-Jun-2023)
Resumen del producto
The NDT451AN is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC conversion where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
7.2A
Encapsulado del Transistor
SOT-223
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.1W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (14-Jun-2023)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.03ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.6V
Número de Pines
4Pins
Gama de Producto
Compute Module 3+ Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (14-Jun-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000454