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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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3000+ | 0,0428 € |
9000+ | 0,0371 € |
Información del producto
Resumen del producto
The NDS7002A is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density and DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control and power MOSFET gate drivers.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High saturation current capability
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Canal N
280mA
SOT-23
10V
300mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
2ohm
Montaje Superficial
2.1V
3Pins
-
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto