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MMBFJ175LT1G
Transistor JFET, 30 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 9000+ | 0,0735 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBFJ175LT1G
Código Farnell2442048
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx30V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.7mA
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.60mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente6V
Encapsulado del TransistorSOT-23
Número de pines3 Pines
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
30V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
60mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tipo de Transistor
JFET
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.
7mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
6V
Número de pines
3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para MMBFJ175LT1G
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto