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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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500+ | 0,140 € |
1500+ | 0,126 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBFJ175LT1G
Código Farnell1431337
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx30V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.60mA
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.7mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente6V
Encapsulado del TransistorSOT-23
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalCanal P
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
30V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.
7mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Tipo de Canal
Canal P
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
60mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
6V
Núm. de Pines
3 Pines
Tipo de Transistor
JFET
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Productos asociados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000045
Trazabilidad del producto