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MMBF170
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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|---|---|
| 5+ | 0,248 € |
| 50+ | 0,154 € |
| 100+ | 0,0733 € |
| 500+ | 0,0713 € |
| 1500+ | 0,0699 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMMBF170
Código Farnell9845399
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id500mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor5ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.1V
Disipación de Potencia300mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MMBF170 is a surface mount, N channel enhancement mode field effect transistors in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- High density cell design for low Rds(ON)
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
- Drain to source voltage (Vds) of 60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of 500mA
- Power dissipation (Pd) of 300mW
- Low on state resistance of 1.2ohm at Vgs 10V
- Operating temperature range -55°C to 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
500mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.1V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Alternativas para MMBF170
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000037
Trazabilidad del producto