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J112-D26Z
Transistor JFET, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pines, 150 °C
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 2000+ | 0,0924 € |
| 6000+ | 0,0906 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2000
Múltiplo: 2000
184,80 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteJ112-D26Z
Código Farnell4319691
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.-
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente-5V
Encapsulado del TransistorTO-226AA
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (14-Jun-2023)
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
-35V
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
-5V
Núm. de Pines
3 Pines
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (14-Jun-2023)
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
-
Encapsulado del Transistor
TO-226AA
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (14-Jun-2023)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000201
Trazabilidad del producto