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J112-D26Z
Transistor JFET, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pines, 150 °C
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,515 € |
| 50+ | 0,289 € |
| 100+ | 0,162 € |
| 500+ | 0,154 € |
| 1000+ | 0,145 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteJ112-D26Z
Código Farnell2453926
Hoja de datos técnicos
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.-
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.5mA
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente-5V
Encapsulado del TransistorTO-226AA
Núm. de Pines3 Pines
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The J112_D26Z is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.
- 35V Drain-gate voltage
- -35V Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tensión de Ruptura Puerta-Fuente Máx
-35V
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Mín.
5mA
Encapsulado del Transistor
TO-226AA
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Corriente de Drenaje a Tensión de Puerta Cero Idss Máx.
-
Tensión Máx. de Corte Puerta-Fuente
-5V
Núm. de Pines
3 Pines
Tipo de Transistor
JFET
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para J112-D26Z
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000201
Trazabilidad del producto