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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFQU8P10TU
Código Farnell3368837
Rango de ProductoQFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id6.6A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.41ohm
Encapsulado del TransistorTO-251
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia44W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoQFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
6.6A
Encapsulado del Transistor
TO-251
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
44W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.41ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
QFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000907
Trazabilidad del producto