FDN336P
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,525 € |
| 50+ | 0,355 € |
| 100+ | 0,265 € |
| 500+ | 0,204 € |
| 1500+ | 0,168 € |
Información del producto
Resumen del producto
The FDN336P is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion. The SuperSOT™-3 provides low RDS (ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 3.6nC typical low gate charge
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Canal P
1.3A
SuperSOT
4.5V
500mW
150°C
-
No SVHC (23-Jan-2024)
20V
0.122ohm
Montaje Superficial
900mV
3Pins
Compute Module 3+ Series
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Alternativas para FDN336P
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Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
RoHS
RoHS
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