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FDMT80080DC
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 254 A, 0.00135 ohm, Dual Cool 88, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDMT80080DC
Código Farnell2825183
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 3,670 € |
| 50+ | 2,970 € |
| 100+ | 2,520 € |
| 500+ | 2,400 € |
| 1500+ | 2,270 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDMT80080DC
Código Farnell2825183
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)80V
Corriente de Drenaje Continua Id254A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.00135ohm
Encapsulado del TransistorDual Cool 88
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia156W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoPowerTrench Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
FDMT80080DC is a N-channel dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET. It is produced using Fairchild semiconductor’s advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low junction-to-ambient thermal resistance. Application includes OringFET / Load switching, synchronous rectification, DC-DC conversion.
- Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- 100% UIL tested
- Drain to source breakdown voltage is 80V (min, ID = 250μA, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source leakage current is 100nA (max, VGS = ±20V, VDS = 0V, TJ = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 3.1V (typ, VGS = VDS, ID = 250μA)
- Input capacitance is 14800pF (min, VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1MHz)
- Gate resistance is 1.8ohm (typ, TJ = 25°C)
- Turn-on delay time is 67ns (typ, VDD = 40V, ID = 36A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Dual Cool™ package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
254A
Encapsulado del Transistor
Dual Cool 88
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
156W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
80V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.00135ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
PowerTrench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0004
Trazabilidad del producto