Imprimir página
FCMT199N60
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, PQFN, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFCMT199N60
Código Farnell3004008
Rango de ProductoSuperFET II
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
Avisarme cuando esté de nuevo en stock
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 2,170 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiplo: 3000
6.510,00 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFCMT199N60
Código Farnell3004008
Rango de ProductoSuperFET II
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id20.2A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.17ohm
Encapsulado del TransistorPQFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.5V
Disipación de Potencia208W
Número de pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoSuperFET II
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
20.2A
Encapsulado del Transistor
PQFN
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
208W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.17ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.5V
Número de pines
4Pins
Gama de Producto
SuperFET II
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0005
Trazabilidad del producto