Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
572.128 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
5+ | 0,367 € |
50+ | 0,255 € |
100+ | 0,145 € |
500+ | 0,0874 € |
1500+ | 0,0755 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
1,84 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteBSS123
Código Farnell9845321
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id170mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1.2ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.7V
Disipación de Potencia360mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El BSS123 es un transistor de efecto de campo de modo mejorado de nivel lógico con canal N en un encapsulado SOT-23. Este producto está diseñado para minimizar la resistencia en estado de conducción al tiempo que proporciona un rendimiento duradero, fiable y de conmutación rápida. Así, el BSS123 es un dispositivo apto para aplicaciones de baja tensión y baja corriente como control de servomotores pequeños, controladores de puerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
- Tensión de drenador a fuente (Vds) de 100V
- Tensión de puerta a fuente de ± 20V
- Baja resistencia en estado de conducción de 1,2ohm a Vgs 10V
- Corriente de drenaje continua de 170mA
- Disipación de potencia máxima de 360mW
- Rango de temperatura de unión en funcionamiento de -55°C a 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
170mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
360mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1.2ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.7V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para BSS123
8 productos encontrados
Productos asociados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000036
Trazabilidad del producto