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2N5551TA
Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Orificio Pasante
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 2000+ | 0,0562 € |
| 6000+ | 0,0467 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2000
Múltiplo: 2000
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricante2N5551TA
Código Farnell4319677
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx160V
Corriente de Colector Continua600mA
Disipación de Potencia625mW
Encapsulado del TransistorTO-92
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Número de Pines3Pins
Frecuencia de Transición100MHz
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE30hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector Continua
600mA
Encapsulado del Transistor
TO-92
Número de Pines
3Pins
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE
30hFE
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Colector-Emisor Máx
160V
Disipación de Potencia
625mW
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Frecuencia de Transición
100MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00024
Trazabilidad del producto