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NVTFS6H854NTAG
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVTFS6H854NTAG
Código Farnell2981245RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
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| 500+ | 0,460 € |
| 1000+ | 0,412 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVTFS6H854NTAG
Código Farnell2981245RL
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)80V
Corriente de Drenaje Continua Id44A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0119ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.0119ohm
Encapsulado del TransistorWDFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia Pd68W
Disipación de Potencia68W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Estándar de Certificación para AutomociónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
80V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0119ohm
Encapsulado del Transistor
WDFN
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
68W
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
-
Estándar de Certificación para Automoción
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
44A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.0119ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Disipación de Potencia
68W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001361
Trazabilidad del producto