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NVMYS5D3N04CTWG
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 71 A, 0.0053 ohm, LFPAK, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVMYS5D3N04CTWG
Código Farnell3236772RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 500+ | 0,383 € |
| 1000+ | 0,353 € |
| 5000+ | 0,332 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNVMYS5D3N04CTWG
Código Farnell3236772RL
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id71A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.0044ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0053ohm
Encapsulado del TransistorLFPAK
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3.5V
Disipación de Potencia50W
Disipación de Potencia Pd50W
Número de pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Estándar de Certificación para AutomociónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.0044ohm
Encapsulado del Transistor
LFPAK
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
50W
Número de pines
4Pins
Gama de Producto
-
Estándar de Certificación para Automoción
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
71A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0053ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3.5V
Disipación de Potencia Pd
50W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0007
Trazabilidad del producto