Imprimir página
NTBG020N090SC1
MOSFET de Carburo de Silicio, EliteSiC, Simple, Canal N, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNTBG020N090SC1
Código Farnell3367849
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
742 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 25,730 € |
| 10+ | 20,750 € |
| 50+ | 20,650 € |
| 100+ | 20,540 € |
| 250+ | 20,130 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
25,73 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNTBG020N090SC1
Código Farnell3367849
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id112A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)900V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.02ohm
Encapsulado del TransistorTO-263 (D2PAK)
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)15V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.6V
Disipación de Potencia477W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoEliteSiC Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
NTBG020N090SC1 es un MOSFET EliteSiC de carburo de silicio (SiC) que utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, su baja resistencia de encendido (ON) y su tamaño compacto garantizan una baja capacitancia y carga de compuerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la máxima eficiencia, una mayor frecuencia de operación, mayor densidad de potencia, reducción de EMI y un tamaño de sistema reducido. Sus aplicaciones incluyen convertidores CC-CC, inversores elevadores y SAI.
- Bajo RDSon, carga de compuerta ultrabaja (Qg tot), baja capacitancia de salida (Coss)
- 100% probado UIL
- La tensión de ruptura de la fuente al drenaje es de mín. 900V a VGS=0V, ID=1mA, Tj=25°C
- La corriente de drenaje de tensión de compuerta cero es de 100 µA máx. a VGS = 0 V, TJ = 25 °C
- La tensión umbral de compuerta es de 2,6 V típico a VGS = VDS, ID = 20 mA, TJ = 25 °C
- Resistencia de la fuente al drenaje es 20 mohm típ. VGS = 15V, ID = 60A, TJ = 25°C
- La carga total de compuerta es de 200 nC típico a VGS = -5/15 V, VDS = 720 V, ID = 60 A, TJ = 25 °C
- Tiempo de subida: 52 ns/Tiempo de caída: 13 ns Tiempo de respuesta a VGS = -5/15 V, VDS = 720 V, ID = 60 A, RG = 2,5 ohmios, carga inductiva.
- Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento de -55 a +175 °C
- Encapsulado D2PAK-7L
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
112A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.02ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.6V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
900V
Encapsulado del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
477W
Gama de Producto
EliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Productos asociados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0004
Trazabilidad del producto