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NTA4153NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-75, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
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| 10+ | 0,168 € |
| 100+ | 0,131 € |
| 500+ | 0,0839 € |
| 1000+ | 0,0655 € |
| 5000+ | 0,0429 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteNTA4153NT1G
Código Farnell2317621
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id915mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.23ohm
Encapsulado del TransistorSC-75
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente760mV
Disipación de Potencia300mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The NTA4153NT1G is a N-channel Small Signal MOSFET with ESD protected gate. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits, battery management, portables like cell phones, PDAs, digital cameras and pagers.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- 1.5V Rated low threshold voltage
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
915mA
Encapsulado del Transistor
SC-75
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.23ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
760mV
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0025
Trazabilidad del producto