Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
5702 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 1,280 € |
10+ | 1,150 € |
100+ | 0,628 € |
500+ | 0,530 € |
1000+ | 0,480 € |
5000+ | 0,427 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,28 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMJD127G
Código Farnell9557083
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo100V
Disipación de Potencia Pd1.75W
Corriente de Colector DC8A
Encapsulado del Transistor RFTO-252 (DPAK)
Número de Pines3Pins
Ganancia de Corriente DC hFE1000hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MJD127G is a 8A PNP bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Aplicaciones
Industrial, Administración de Potencia, Automoción
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP
Disipación de Potencia Pd
1.75W
Encapsulado del Transistor RF
TO-252 (DPAK)
Ganancia de Corriente DC hFE
1000hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
100V
Corriente de Colector DC
8A
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para MJD127G
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Vietnam
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Vietnam
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000665
Trazabilidad del producto