Imprimir página
MBRAF3200T3G
Rectificador Schottky, 200 V, 3 A, Único, SMAF, 2 Pines, 840 mV
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
51.080 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,424 € |
| 500+ | 0,335 € |
| 1000+ | 0,273 € |
| 5000+ | 0,235 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 100
Múltiplo: 5
47,40 € (Excl. IVA)
Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMBRAF3200T3G
Código Farnell2824888RL
Hoja de datos técnicos
Tensión inversa repetitiva máx.200V
Corriente Directa Promedio3A
Configuración de DiodoÚnico
Encapsulado del DiodoSMAF
Número de pines2Pins
Tensión Directa Máxima840mV
Sobrecorriente Directa100A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tensión inversa repetitiva máx.
200V
Configuración de Diodo
Único
Número de pines
2Pins
Sobrecorriente Directa
100A
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Calificación
AEC-Q101
Corriente Directa Promedio
3A
Encapsulado del Diodo
SMAF
Tensión Directa Máxima
840mV
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000091
Trazabilidad del producto