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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 0,771 € |
10+ | 0,545 € |
100+ | 0,424 € |
500+ | 0,335 € |
1000+ | 0,273 € |
5000+ | 0,235 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteMBRAF3200T3G
Código Farnell2824888
Hoja de datos técnicos
Cresta de Tensión Inversa Recurrente200V
Corriente Directa Promedio3A
Configuración de DiodoÚnico
Encapsulado del DiodoSMAF
Número de Pines2Pins
Tensión Directa Máxima840mV
Sobrecorriente Directa100A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Cresta de Tensión Inversa Recurrente
200V
Configuración de Diodo
Único
Número de Pines
2Pins
Sobrecorriente Directa
100A
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Calificación
AEC-Q101
Corriente Directa Promedio
3A
Encapsulado del Diodo
SMAF
Tensión Directa Máxima
840mV
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000091
Trazabilidad del producto