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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,915 € |
| 10+ | 0,615 € |
| 100+ | 0,426 € |
| 500+ | 0,357 € |
| 1000+ | 0,325 € |
| 5000+ | 0,270 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFQD7N20LTM
Código Farnell3368808
Rango de ProductoQFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)200V
Corriente de Drenaje Continua Id5.5A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.59ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia45W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoQFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
5.5A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
45W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
200V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.59ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
QFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0004
Trazabilidad del producto