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800+ | 0,963 € |
2400+ | 0,944 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFQB55N10TM
Código Farnell2323207
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id55A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.021ohm
Encapsulado del TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia155W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
55A
Encapsulado del Transistor
TO-263AB
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
155W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.021ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para FQB55N10TM
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002267
Trazabilidad del producto