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FDN352AP
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDN352AP
Código Farnell1467977RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id1.3A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.18ohm
Encapsulado del TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia500mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The FDN352AP is a P-channel Logic Level MOSFET produced using advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss is needed in a very small outline surface mount package.
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
1.3A
Encapsulado del Transistor
SuperSOT
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.18ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para FDN352AP
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.003175
Trazabilidad del producto