FDMS86255

El FDMS86255 es un MOSFET de canal N se produce mediante el proceso POWERTRENCH semi avanzado que incorpora tecnología de puerta blindada. Este proceso se ha optimizado para la resistencia en estado encendido y aún mantiene un rendimiento de conmutación superior. Este proceso se ha optimizado para la resistencia en estado encendido y aún mantiene un rendimiento de conmutación superior. Las aplicaciones típicas son OringFET/conmutación de carga, rectificación síncrona y conversión CC-CC.

• Paquete avanzado y combinación de silicio para bajo RDS (encendido) y alta eficiencia
• Tecnología de diodos corporales mejorada de próxima generación, diseñada para una recuperación suave
• 100% probado UIL
• El voltaje de drenaje a la fuente es de 150 V a TA = 25 °C
• El voltaje de puerta a fuente es ±20 V a TA = 25 °C
• La corriente de drenaje es de 62 A en continuo, TC = 25 °C
• La energía de avalancha de un solo pulso es de 541 mJ a TA = 25°C
• La disipación de potencia es de 113W a TC = 25 °C
• Encapsulado PQFN8
• Rango de temperatura de la unión de funcionamiento y almacenamiento de -55 a +150 °C

Advertencias

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