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FDH055N15A
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Orificio Pasante
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDH055N15A
Código Farnell2825158
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,740 € |
| 5+ | 6,710 € |
| 10+ | 6,680 € |
| 50+ | 3,910 € |
| 100+ | 3,780 € |
| 250+ | 3,650 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDH055N15A
Código Farnell2825158
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)150V
Corriente de Drenaje Continua Id156A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0048ohm
Encapsulado del TransistorTO-247
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia429W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoPowerTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDH055N15A es un MOSFET POWERTRENCH® de canal N. Este MOSFET de canal N se fabrica utilizando el avanzado proceso POWERTRENCH de Onsemi, que se ha adaptado para minimizar la resistencia de estado activado manteniendo un rendimiento de conmutación superior. La aplicación incluye rectificación síncrona para ATX/sever/telecom PSU, circuito de protección de batería, accionamientos de motor y fuentes de alimentación ininterrumpida, micro inversor solar.
- Alta capacidad de manejo de potencia y baja carga de puerta, alta capacidad de manejo de potencia y corriente
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS(On) extremadamente baja
- Resistencia estática de la fuente al drenaje es 4,8 mohm típ. (VGS = 10V, ID = 120A, TC = 25°C)
- La tensión de ruptura de la fuente al drenaje es de 150V mín. (ID = 250µA; VGS = 0V; Tj = 25°C)
- El coeficiente de temperatura de tensión de ruptura es de 0,1V/°C típ. (ID = 250µA, referenciado a 25°C)
- Rango de tensión umbral de puerta de 2,0 a 4,0V (VGS = VDS, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Capacitancia de entrada es 7100pF típica (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- Capacitancia de salida es de 664pF típica (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- La disipación de potencia es de 429 W (25 °C)
- Encapsulado TO−247−3LD, rango de temperatura de funcionamiento de -55 a 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
156A
Encapsulado del Transistor
TO-247
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
429W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
150V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0048ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.006867
Trazabilidad del producto